LCD 구동 IC를 위한 Power-Up 순차 스위치를 가진 Latch-Up 방지 기술

최병호; 공배선; 전영현

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자료유형: 학술저널

저자정보: 최병호 공배선 전영현

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 SD編第45卷第6號

발행연도: 2008.6

수록면: 111 - 118 (8page)

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액정 구동 IC에서 발생하는 기생 p-n-p-n 회로의 래치업 문제를 개선하기 위해 power-up 순서상에 순차 스위치를 삽입하는 방법을 제안하였다. 제안된 순차 스위치는 2차-승압회로와 3차-승압회로 내에 삽입되며, power-up 순서상에서 해당 승압회로가 동작하기 전에 기생 p-n-p-n 회로의 분리된 에미터-베이스 단자를 순차적으로 연결하게 된다. 제안된 구조의 성능을 검증하기 위해 0.13-um CMOS 공정을 이용하여 테스트 IC를 설계 제작하였다. 측정 결과, 기존의 경우 50℃에서 액정 구동 전압이 VSS로 수렴하면서 과전류를 동반하며 래치업 모드로 진입하였으나, 제안 회로를 삽입한 경우는 고온(100℃)에서도 정상전류 0.9㎃와 정상 액정 구동 전압을 나타내어 래치업이 방지되고 있음을 확인하였다.

#Latch-up #순차 승압 #Sequential 스위치 #Liquid Crystal Display Driver IC

참고문헌 (6)

참고문헌 신청

1. [학술지(정기간행물)] - Robert Ching-yuh Fang / 1984 / Latchup model for the parasitic p-n-p-n path in bulk CMOS / IEEE Transactions on electron devices ED-31 : 1 ~ 3

2. [단행본] - Catherine Redmond / 2001 / Winning the battle against latch-up in CMOS analog switches / Analog Dialogue : 2 ~

3. [학술지(정기간행물)] - Phillip E.Allen / 2002 / CMOS Analog Circuit Design : 51 ~ 53

4. [학술지(정기간행물)] - Alan G.Lewis / 1984 / Latchup Suppression in Fine-Dimension Shallow p-Well CMOS Circuits / IEEE Transactions on electron devices ED-31 : 2 ~

5. [학술지(정기간행물)] - A.H.Johnston / / The Effect of Temperature on Single-Particle Latch-up / IEEE Transactions on nuclear science 38 : 5 ~ 6

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