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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 SD編 第45卷 第5號
발행연도
2008.5
수록면
19 - 25 (7page)

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본 연구에서는 유기반도체인 펜타센과 소스-드레인 금속전극사이에 C<SUB>60</SUB>을 홀주입층으로 적용한 유기박막트랜지스터를 제작하여 C<SUB>60</SUB>을 삽입하지 않은 소자와의 전기적특성을 비교하였다. C<SUB>60</SUB>/Au 이중전극을 사용한 소자의 경우 Au단일전극을 사용한 소자와 비교하였을 때 전하이동도는 0.298 ㎠/V·s에서 0.452 ㎠/V·s , 문턱전압의 경우 -13.3V에서 -10.8V로 향상되었으며, contact resistance를 추출하여 비교하였을 경우 감소함을 확인할 수 있었다. 이러한 성능의 향상은 C<SUB>60</SUB>을 Au와 pentacene 사이에 삽입하였을 경우 Au-pentacene 간의 원하지 않는 화학적 반응을 막아줌으로써 홀 주입장벽를 감소시켜 홀 주입이 향상되었기 때문이다. 또한 Al을 전극으로 적용한 OTFT도 제작하였다. 기존에 Al은 OTFT에 단일전극으로 사용하였을 경우 둘간의 높은 홀 주입장벽으로 인해 채널이 거의 형성되지 않았으나, C<SUB>60</SUB>/Al 이중전극을 사용한 소자의 경우 전하이동도와 전류점멸비은 0.165 ㎠/V·s, 1.4×10⁴ 으로써 Al를 단일전극으로 사용하는 소자의 전기적 특성에 비해 크게 향상되어진 소자를 제작할 수 있었다. 이는 C<SUB>60</SUB>과Al이 접합시에 interface dipole의 형성으로 Al의 vacuum energy level이 변화로 인한 Al의 work function이 증가되어 pentacene과 Al간의 hole injection barrier가 감소되었기 때문이다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 본론 (결과 및 토의)
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개

참고문헌 (11)

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