메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류

추천
검색
질문

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
Atmospheric pressure plasma polishing (APPP) is a noncontact precision machining technology that uses low temperature plasma chemical reactions to perform atom-scale material removal. APPP is a complicated process, which is affected by many factors. Through a preliminary theoretical analysis and simulation, we confirmed that some of the key factors are the radio frequency (RF) power, the working distance, and the gas ratio. We studied the influence of the RF power and gas ratio on the removal rate using atomic emission spectroscopy, and determined the removal profiles in actual operation using a commercial form talysurf. The experimental results agreed closely with the theoretical simulations and confirmed the effect of the working distance. Finally, we determined the element compositions of the machined surfaces under different gas ratios using X-ray photoelectron spectroscopy to study the influence of the gas ratio in more detail. We achieved a surface roughness of Ra 0.6 ㎚ on silicon wafers with a peak removal rate of approximately 32 ㎣/min.

목차

1. Introduction
2. Simulation and Analysis
3. Experiments
4. Results and Discussion
5. Conclusions
ACKNOWLEDGEMENT
REFERENCES

참고문헌 (18)

참고문헌 신청

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

이 논문과 함께 이용한 논문

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2010-555-001452383