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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.11
- 수록면
- 48 - 53 (6page)
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본 논문에서는 branch line coupler와 λ/4 전송라인을 이용한 94 ㎓ 발룬 회로를 설계하였고, 이를 이용하여 높은 LO-RF 격리도 특성을 갖는 W-밴드용 MIMIC 단일 평형 주파수 혼합기를 개발하였다. 혼합기는 0.1 ㎛ InGaAs/InAlAs/GaAs Metamorphic HEMT 다이오드를 적용하였다. 혼합기에 사용된 MHEMT는 전류이득차단 주파수가 154 ㎓, 최대공진주파수 특성이 454 ㎓의 특성을 나타내었다. 제작된 혼합기의 특성 측정 결과 LO 입력 전력이 8.6 ㏈m일 때 12.8 ㏈의 변환 손실 특성을 나타내었으며, 입력 및 출력 P1 ㏈는 각각 5 ㏈m, -8.9 ㏈m의 특성을 나타내었다. 또한 LO-RF 격리도 특성은 94 ㎓에서 37.2 ㏈로 높은 격리도 특성을 나타내었다. 격리도 특성을 고려할 때, 본 논문에서 설계 및 제작된 W-밴드용 MIMIC 단일 평형 주파수 혼합기는 기존의 밀리미터파 대역 혼합기와 비교하여 높은 LO-RF 격리도 특성을 나타내었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. W-대역 MIMIC 단일평형 주파수 혼합기의 설계
Ⅲ. 단일평형 주파수 혼합기 제작
Ⅳ. 단일평형 주파수 혼합기 측정
Ⅴ. 결론
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참고문헌
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1. [학술지(정기간행물)] - / 2006 / High-Performance 94 GHz Single Balanced Mixer Using 70 nm MHEMTs and Surface Micromachined Technology 27 (1) : 28 ~ 30
2. [학술지(정기간행물)] - / 1997 / A Comparison Of W-band MMIC Mixers Using InP HEMT Technology : 435 ~ 438
3. [학술지(정기간행물)] - / Jul/Aug2004 / 50 nm InGaAs/InAlAs/GaAs Metamorphic High Electron Mobility Transistors Using Double Exposure at 50 kV Electron-beam Lithography Without Dielectric Support 22 (4) : 1807 ~ 1810
4. [학술지(정기간행물)] - / 1998.01. / Coplanar Integrated Mixers for 77-GHz Automotive Applications, 8 (1) : 38 ~ 40
5. [학술지(정기간행물)] - / 2002 / A Balanced Resistive Mixer Avoiding an IF Balun : 245 ~ 248
2. [학술지(정기간행물)] - / 1997 / A Comparison Of W-band MMIC Mixers Using InP HEMT Technology : 435 ~ 438
3. [학술지(정기간행물)] - / Jul/Aug2004 / 50 nm InGaAs/InAlAs/GaAs Metamorphic High Electron Mobility Transistors Using Double Exposure at 50 kV Electron-beam Lithography Without Dielectric Support 22 (4) : 1807 ~ 1810
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