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호이슬러 구조를 가진 반쪽금속 Co₂ZrSi와 반도체인 ZnTe이 (001)면을 따라 계면을 이루었을 때 전자구조, 자성 및 반쪽금속성을 총 퍼텐셜 선형보강평면파동(FLAPW) 방법을 이용하여 이론적으로 연구하였다. 모두 4가지 가능한 계면, 즉 ZrSi/Zn, ZrSi/Te, Co/Zn와 Co/Te을 고려하였다. 계산된 상태밀도로부터 4가지 계면에서 모두 반쪽금속성이 깨어졌음을 알 수 있었으나 Co/Te의 경우 페르미에너지에서 소수 스핀 상태밀도의 값은 영에 가까웠다. 계면에서 반쪽금속성이 파괴되는 것은 계면에서 원자들의 좌표수와 대칭성이 덩치상태와 달라지고 계면전자들 사이의 띠 혼성에 의해 덩치 Co₂ZrSi의 소수 스핀 띠간격에 계면상태들이 나타났기 때문이다. Co/Te의 계면에서 Co원자의 자기모멘트의 값은 “bridge”와 “antibridge” 위치에서 각각 0.68과 0.78 μ<SUB>B</SUB>로서 이는 덩치 Co₂ZrSi 경우의 값(1.15 μ<SUB>B</SUB>)에 비하여 크게 감소한 것이다. Co/Zn에서 “bridge”와 “antibridge” 위치에 있는 Co원자의 자기모멘트는 각각 1.16과 0.93 μ<SUB>B</SUB>의 값을 가졌다. 반면 ZrSi/Zn와 ZrSi/Te의 경우 계면 바로 밑층의 Co원자들은 1.13~1.30 μ<SUB>B</SUB> 사이의 자기모멘트를 가졌는데 이는 덩치 Co₂ZrSi에서의 값과 비슷하거나 약간 증가한 값이다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 모형과 계산방법
Ⅲ. 결과 및 논의
Ⅳ. 결론
참고문헌
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