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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.7
- 수록면
- 41 - 46 (6page)
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본 논문은 두 개의 공통 게이트 증폭단을 사용한 캐스코형 CMOS 저잡음 증폭기의 후치 선형화 기법을 제안한다. 제안된 기법은 두 개의 공통 게이트 FET 단을 사용하며, 한 FET는 공통 소스단에서 전달된 전류 성분 중 선형 전류 성분만을 부하에 전달하고, 다른 한 단은 3차 혼변조 전류를 흡수하도록 동작한다. 선형 전류 성분과 혼변조 전류 성분을 선택적으로 분류하기 위해 0.18㎛ CMOS 공정에서 제공되는 후막 (thick oxide) FET를 혼변조 전류 흡수용 FET로, 박막 (thin oxide) FET를 선형 전류 버퍼로 사용하였다. 제안된 방법을 검증하기 위해 0.18? CMOS 공정을 이용하여 2.14㎓에서 동작하는 저잡음 증폭기를 설계하였다. 제작된 차동 증폭기는 1.8V 전원에서 12.4㎃를 소모하며, 측정 결과로 11 ㏈m IIP3, 15.5 ㏈ 전력이득, 그리고 2.85 ㏈ 잡음지수를 특성을 얻었다. 이는 후치 선형화가 없는 회로에 비해 7.5d㏈의 IIP₃ 개선된 결과이다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 차동증폭기의 설계 및 측정 결과
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (0)
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