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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.7 No.2
- 발행연도
- 2007.6
- 수록면
- 98 - 101 (4page)
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A fully integrated 5-㎓ CMOS power amplifier for IEEE 802.11a WLAN applications is implemented using 0.18-㎛ CMOS technology. An on-chip transmission-line transformer is used for output matching network and voltage combining. Input balun, inter-stage matching components, output transmission line transformer and RF chokes are fully integrated in the designed amplifier so that no external components are required. The power amplifier occupies a total area of 1.7㎜ × 1.2㎜. At a 3.3-V supply voltage, the amplifier exhibits a 22.6-㏈m output 1-㏈ compression point, 23.8-㏈m saturated output power, 25-㏈ power gain. The measured power added efficiency (PAE) is 20.1% at max. peak, 18.8% at P1㏈. When 54 Mbps/64 QAM OFDM signal is applied, the PA delivers 12㏈m of average power at the EVM of -25㏈.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. POWER AMPLIFIER DESIGN
Ⅲ. EXPERIMENTAL RESULTS
Ⅳ. CONCLUSION
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES
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