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- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.7 No.2
- 발행연도
- 2007.6
- 수록면
- 88 - 93 (6page)
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In this paper, a simple and improved noise parameter model of RF MOSFETs is developed and verified. Based on the analytical model of channel thermal noise, closed form expressions for four noise parameters are developed from proposed equivalent small signal circuit. The modeling results show a excellent agreement with the measured data of 0.13㎛ CMOS devices.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. ANALYTICAL MODELING OF THERMAL NOISE AND NOISE PARAMETERS
Ⅲ. EXPERIMENTAL RESULTS
Ⅳ. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES
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