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- 2006.11
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- 11 - 15 (5page)
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We examine the mobility of an edge dislocation pair in Si crystal using action-derived molecular dynamics. The various structural changes of dislocation cores with atomic resolution and their corresponding energy barriers, the so-called Peierls barriers, are evaluated during the dislocation motion. The dislocation movement is achieved by sequential bond-breaking and re-bonding processes of concerned atoms, which occur layer by layer in contrast with the assumption in Peierls-Nabarro model. The energy barrier for the movement of an edge dislocation pair on shuffle plane is higher than 0.20 eV, if bond-breakages occur first. However, it is significantly reduced to be about 0.08 eV, when five-fold bonds are formed before bond-breakages. When the dislocation moves via this mechanism, energy barrier for the dislocation movement does not depend on the length of dislocation line.
목차
Abstract
1. 서론
2. 계산 방법
3. 이산화된 시간 수에 따른 전위 코어구조의 변화
4. 전위 라인 길이의 영향
5. 결론
후기
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