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비정질 Co<SUB>70.5</SUB>Fe<SUB>4.5</SUB>Si₁?B₁?층을 갖는 자기터널접합(magnetic tunneling junctions; MTJ)를 연구하였다. 비정질 자유층이 MTJ의 스위칭 특성에 미치는 영향을 중점적으로 이해하기 위하여 기존의 사용된 CoFe 그리고 NiFe층들을 대신하여 비정질 강자성체 CoFeSiB을 사용하였다. CoFeSiB은 CoFe과 NiFe보다 각각 낮은 포화자기장(M<SUB>s</SUB>: 560 emu/㎤)과 높은 자기이방성 상수(K<SUB>u</SUB>: 0.2800 erg/㎤)를 갖는다. CoFeSiB층들의 사이에 1.0 ㎚ Ru층 삽입시 ?0.003 erg/㎤ 교환결합에너지(J<SUB>ex</SUB>)를 나타내었다. Si-SiO₂-Ta 45/Ru 9.5/IrMn 10/CoFe 7/AlO<SUB>x</SUB>/CoFeSiB 7 또는 CoFeSiB (t)/Ru 1.0/CoFeSiB (7-t)/Ru 60(in ㎚) MTJ 구조의 터널접합에 대하여 실험 및 시뮬레이션 결과를 통하여 낮은 J<SUB>ex</SUB>에 기인하는 스위칭 자기장(switching field; H<SUB>sw</SUB>)의 시료 크기 의존성이 나타나는 것을 알 수 있었다. CoFeSiB 합성형 반강자성 구조는 micrometer뿐만 아니라 submicrometer 시료 크기영역에서도 보자력(H<SUB>c</SUB>)의 감소와 민감도를 증가 시킴으로써 자기 스위칭 특성에 유리한 것으로 확인 되었다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
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