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논문 기본 정보

자료유형
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저널정보
한국자기학회 한국자기학회지 한국자기학회지 제17권 제3호
발행연도
2007.6
수록면
120 - 123 (4page)

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이 연구에서는 Ta 45/Ru 9.5/IrMn 10/CoFe 3/AlO<SUB>x</SUB>/자유층/AlO<SUB>x</SUB>/CoFe 7/IrMn 10/Ru 60(㎚) 구조를 갖는 이중장벽 자기터널 접합(double-barrier magnetic tunnel junction: DMTJ)를 다루었다. 자유층은 Ni₁?Fe?₂Si?B₁₄ 7 ㎚, Co??Fe₁?(fcc) 7 ㎚ 및 CoFe t₁/NiFeSiB t₂/CoFe t₁으로 구성하였으며 두께 t₁, t₂는 변화시켰다. 즉 TMR비와 RA를 개선하기 위하여 부분적으로 CoFe층을 대체할 수 있는 비정질 NiFeSiB층이 혼합된 자유층 CoFe/NiFeSiB/CoFe을 갖는 DMTJ를 연구하였다. NiFeSiB(t₁= 0, t₂= 7)만의 자유층을 갖는 DMTJ는 터널자기저항(TMR)비 28 %, 면적-저항곱(RA) 86 ㏀㎛², 보자력(H<SUB>c</SUB>) 11 Oe 및 층간 결합장(H<SUB>i</SUB>) 20 Oe를 나타내었다. t₁ = 1.5, t₂= 4인 경우의 하이브리드 DMTJ는 TMR비 30 %, RA 68 ㏀㎛² 및 H<SUB>c</SUB> 11 Oe를 가졌으나 H<SUB>i</SUB>는 37 Oe로 증가하였다. 원자현미경(AFM)과 투과전자현미경(TEM)측정을 통하여 NiFeSiB층 두께가 감소하면 H<SUB>i</SUB>가 증가하는 것을 확인하였다. 비정질 NiFeSiB층이 두꺼워지면 보통 계면의 기복을 유도하는 원주형성장(columnar growth)를 지연시키는데 유효하였다. 그러나 NiFeSiB층이 얇으면 표면거칠기는 증가하고 전자기적 Neel 결합 때문에 H<SUB>i</SUB>는 커졌다.
#비정질 물질 #바이어스전압 의존성 #이층장벽 자기터널접합(DMTJ) #NiFeSiB #amorphous materials #bias voltage dependence #double-barrier magnetic tunnel junction (DMTJ)

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌

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