연소 기술을 이용한 반도체성 단일벽 탄소 나노튜브 장치 제작

이형우; 한창수; 김수현; 곽윤근

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자료유형: 학술대회자료

저자정보: 이형우 한창수 김수현 곽윤근

저널정보: Korean Society for Precision Engineering 한국정밀공학회 학술발표대회 논문집 한국정밀공학회 2004년도 추계학술대회 논문요약집

발행연도: 2004.10

수록면: 80 - 84 (5page)

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We report a method for making a device on which semi-conducting single-walled carbon nanotubes are attached selectively between two metal electrodes. This method is divided two processes. First we can connect a rope of single-walled carbon nanotubes(SWNTs) between two electrodes using the electric field. But a SWNTs’ rope obtained by the first process was composed of a few of metallic and semi-conducting SWNTs together. The second process is to burn the metallic and semi-conducting nanotubes through applying a voltage. As a result, we can obtain a semi-conducting SWNT device. To make the patterned electrodes, we deposited SiO₂(150㎚) on a wafer. After then, we made a patterned samples with Ti(200 Å)/Au(300Å). We empirically obtained a electric condition 0.66V<SUB>pp</SUB>/㎛@5㎒. From this result, we verified that most of current go through the metallic nanotubes in this device. When we apply DC voltage between two electrodes, the metallic carbon nanotubes are burnt. Finally, we can obtain a semi-conducting nanotube device which we desire to make. We got the I-V characteristic graph which has shown the semi-conducting property. We hope to apply to the various applications using this selective semi-conducting carbon nanotube deposition method.

#Semi-conducting single-walled carbon nanotube(반도체성 단일벽 탄소 나노튜브) #Electric field(전기장) #Alignment & # deposition(정렬 및 부착) #Burning technique(연소 기술)

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