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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2005.5
- 수록면
- 93 - 98 (6page)
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근거리에서의 무선설비제어, 구내음성통신과 같은 전파통신설비의 송수신 모듈에 실리콘 바이폴라 트랜지스터가 많이 사용되고 있다. 이러한 실리콘 바이폴라 트랜지스터의 내부 전류원에 대한 새로운 모델링 방법이 제시되었다. 제안된 방법은 Si-BJT의 새로운 열 저항 추출방법과 전류원 파라메터에 대한 새로운 해석적인 방정식에 기반을 두고 있다. 이 방법은 기존의 방법에서 채택된 반복적인 최적화 과정 없이 바로 파라메터를 구할 수 있다. 제안된 방법을 5개의 핑거를 가지는 0.4×20[μm²] 의 Si-BJT에 이 방법을 적용시켰으며, 모델링된 데이터는 측정결과를 3[%] 이내의 오차로 잘 예측하였다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 베이스, 에미터, 컬렉터 접근 저항의 계산
3. 열 저항 및 전류원 모델링
4. 결론
References
◇ 저자소개 ◇
참고문헌 (6)
참고문헌 신청
J. D. Cressler and G. Niu, “Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors,” Artech House 2003.
G. Puma, et al, “A RF transceiver for WDCT in a 25GHz Si Bipolar technology,” 2000 IEEE MTT-Digest, pp. 273-275.
C. McAndrew et al, “VBIC95, the vertical bipolar intercompany model,” IEEE journal of solid state circuit Vol. 31, No. 10, pp.1476-1483, Oct., 1996.
X. Cao, et al, “Comparison of the new VBIC and conventional Gummel-Poon bipolar transistor models,” IEEE Trans. Elec. Dev., Vol. 47, No. 2, pp.427-433, February 2000.
Y. Govert, et. Al, “A physical yet simple small signal equivalent circuit for the heterojunction bipolar transistor”, IEEE Trans. On MTT, Vol.45, No. 1, pp. 149-153, 1997.
G. Puma, et al, “A RF transceiver for WDCT in a 25GHz Si Bipolar technology,” 2000 IEEE MTT-Digest, pp. 273-275.
C. McAndrew et al, “VBIC95, the vertical bipolar intercompany model,” IEEE journal of solid state circuit Vol. 31, No. 10, pp.1476-1483, Oct., 1996.
X. Cao, et al, “Comparison of the new VBIC and conventional Gummel-Poon bipolar transistor models,” IEEE Trans. Elec. Dev., Vol. 47, No. 2, pp.427-433, February 2000.
Y. Govert, et. Al, “A physical yet simple small signal equivalent circuit for the heterojunction bipolar transistor”, IEEE Trans. On MTT, Vol.45, No. 1, pp. 149-153, 1997.
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