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대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE JOUNAL OF SEMICONDUCTOR THCHNOLOGY AND SCIENCE Vol.6 No.1
발행연도
2006.3
수록면
1 - 9 (9page)

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We introduce our in-house program, NANOCAD, for the modeling and simulation of carrier transport in nanoscale MOSFET devices including quantum-mechanical effects, which implements two kinds of modeling approaches: the top-down approach based on the macroscopic quantum correction model and the bottom-up approach based on the microscopic non-equilibrium Green’s function formalism. We briefly review these two approaches and show their applications to the nanoscale bulk MOSFET device and silicon nanowire transistor, respectively.
#MOSFET #quantum effect #density gradient model #non-equilibrium Green's function(NEGF) formalism

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. DENSITY-GRADIENT MODEL
Ⅲ. NEGF FORMALISM WITH PHONON SCATTERING
Ⅳ. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES
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