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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2003.6
- 수록면
- 89 - 92 (4page)
이용수
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The tunneling magnetoresistance (TMR) of a ramp-edge type junction with SrTiO₃ barrier layer has been studied. The samples with a structure of glass/NiO(600 Å)/Co(100 Å)/SrTiO₃(400 Å)/SrTiO₃(20~100 Å)/NiFe(100 Å) were prepared by the sputtering and etched by the electron cyclotron (ECR) argon ion milling. Nonlinear Ⅰ-Ⅴ characteristics were obtained from a ramp-type tunneling junctions, having the dominant difference between two different external magnetic fields (±100 Oe) perpendicular to the junction edge line. In the SrTiO₃ barrier thickness of 40 Å, the TMR was 52.7% at a bias voltage of -50 ㎷. The bias voltage dependence of resistance and TMR in a ramp-type tunneling junction was similar with those of the layered TMR junction.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Experimentals
3. Results and Discussion
Summary
Acknowledgments
References
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