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Si/SiO₂/NiO(60 ㎚)/Co(2.5 ㎚)/Cu(1.95 ㎚)/Co(4.5 ㎚)/NOL(t ㎚) 구조와 Si/SiO₂/NOL(t ㎚)/Co(4.5 ㎚)/Cu(1.95 ㎚)/Co(2.5 ㎚)/NiO(60 ㎚)의 구조를 갖는 바닥층 스핀밸브와 꼭대기층 스핀밸브를 제작하고, NOL의 두께변화에 따른 비저항(p) 값과 비저항의 변화량(Δp), 교환결합력(Hex), 보자력(Hc)의 자기적 특성을 연구하였다. NOL로 NiO 03 ㎚의 두께로 삽입한 결과, 최대 자기저항비(magnetoresistance ratio)는 바닥층 스핀밸브에서 12.51%의 얻었으며, 자기저항비의 향상률은 꼭대기층 스핀밸브에서 더 높은 결과를 얻었다. 또한, 두 형태 모두 비저항의 변화량(Δp)은 거의 일정하였고, 비저항(p) 값은 감소하였다. 이러한 결과는 NOL의 삽입하였을 때 NOL/강자성층(free ferromagnetic layer) 계면에서 유도 전자의 specular 산란 효과를 가져왔고, 이로 인하여 전자의 평균 자유이동경로(mean free path; MFP)가 확장되어 전류의 전도도를 증가시켰다. 이러한 specular 효과에 의해 비저항의 변화량은 일정하게 유지되는 동안에 비저항 값은 감소하게 되어 결과적으로 자기저항비의 향상을 가져왔다.
목차
국문초록
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 방법
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
Abstract
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