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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국자기학회 한국자기학회지 한국자기학회지 제9권 제5호
발행연도
1999.10
수록면
245 - 250 (6page)

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기판/Py/Al₂O₃/Co (Py=Ni_(81)Fe_(19)) 터널접합의 TMR(Tunneling Magnetoresistance)에 미치는 기판과 부도체층의 효과를 보기위해 산화시간을 변화시키고 기판의 종류를 변화시키며 전기적 특성을 측정하였다. 시료는 진공중에서 in-situ로 새 도우마스크를 교환하며 제작하였다. 산화시간의 증가에 따라 터널접합의 저항은 증가하였으며 측정된 MR 값은 감소하였다. 터널 비저항이 0.17 MΩ (㎛)² 이하인 경우 음의 MR이 관측되었다. 기판의 종류에 따른 MR 값은 열산화시킨 Si(111), Si(100), Corning Glass 2948, Corning Glass 7059 순으로 감소하였다. MR 값의 부호와 변화를 불균일 전류의 흐름으로 설명하였다.

목차

국문초록

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 실험

Ⅲ. 결과

Ⅳ. 결론

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Abstract

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