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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국자기학회 한국자기학회지 한국자기학회지 제9권 제2호
발행연도
1999.4
수록면
91 - 97 (7page)

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막후 4~80 ㎛의 YIG(Y₃Fe_5O₁₂)막을 GGG(Gd₃Ga_5O₁₂) 기판 상에 수 종류의 화학조성이 서로 다른 Melt를 사용하여 성장 온도를 변화시키며 LPE(Liquid Phase Epitaxy)법으로 에피탁시 성장시켰다. 제조한 막의 성장속도, 표면 형상, 화학 조성, 격자상수, 포화 자화, 자기공명특성을 조사했다. 기판과 막간의 격자상수의 mismatch △α, 포화자화 그리고 자기공명흡수반치폭 △H는 과냉각온도 △T가 증가함에 따라 각각 증가, 감소 및 증가하는 경향을 보였다. 또한, R₁값이 크고 R₃값이 작은 Melt를 사용한 경우, 동일한 △T값에서의 △H가 작았다. △H를 증가시키는 주된 요인은 △α의 증가이었고, 그 이유로는 △α가 증가하면 막후 방향으로의 응력 분포가 불균일해져 막 내부의 자장이 불균일해지기 때문으로 생각된다. 따라서, 마이크로파 손실이 작은 양질의 마이크로파 소자용 YIG 막을 제조하기 위해서는 R₁값이 크고 R₃값이 작은 Melt를 사용하여 △T가 작은 영역에서 막을 성장시켜 △α를 작게해야만 한다.

목차

국문초록

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 실험

Ⅲ. 결과 및 고찰

Ⅳ. 결론

참고문헌

Abstract

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