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이 논문의 연구 히스토리 (8)
1999
1997
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Ni_(66)Fe_(16)Co_(18)/Cu/Co 삼층막을 4˚ tilt-cut Si(111) 기판과 Cu(50Å) 바닥층 위에 형성하고, 사진식각 및 에칭작업을 통해 자기저항 메모리 소자를 제작하여 자기저항 메모리 특성을 연구하였다. 외부 자장의 인가 없이 증착한NiFeCa/Cu/Co 삼층막은 4˚ tilt-cut Si(111) 기판과 Cu(50Å) 바닥층의 영향으로 면내 일축자기이방성을 형성하였으며, 낮은 자장 내에서 높은 자기저항비와 자기저항만감도 등 자기저항 메모리 소자에 응용이 가능한 우수한 자기저항 특성을 나타내었다. NiFeCo/Cu/Co 삼층막의 Cu 사잇층 두께 변화에 따라 삼층막을 이루는 두 자성층 간에 강자성 및 반강자성 결합력이 관찰되었으며, 결합력은 사잇층 두께에 민감하게 변화하여 NiFeCa/Cu/Co 삼층막의 메모리 특성에 영향을 끼쳤다. 사잇층 두께의 변화에 대해 최적화된 [NiFeCo(60Å)/Cu(25Å)/Co(30Å)]/Cu(50Å)/Si(111, 4˚ tilt-cut) 스핀밸브 삼층막을 이용하여 거시적 자기저항 메모리 소자를 제작하고, 시험 소자의 메모리 동작에 대해 관찰하였다. Sense 전류는 10 ㎃로 고정하고, 약 5×10^5 A/㎠의 ward 전류를 가해 약 10㎷의 출력 전압을 시험 소자에서 얻었으며, NiFeCo/Cu/Co 스핀밸브 삼층막의 자기저항 메모리 소자에의 응용 가능성을 확인할 수 있었다.
목차
국문초록
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
Abstract
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