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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국자기학회 Journal of Magnetics Journal of Magnetics Vol.6 No.4
발행연도
2001.12
수록면
132 - 141 (10page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2001

Computer Simulation of Switching Characteristics and Magnetization Flop in Magnetic Tunnel Junctions Exchange Biased by Synthetic Antiferromagnets
Y. R. Uhm ,  S. H. Lim Journal of Magnetics 2001.12 학술저널
Computer Simulation of Magnetization - Flop in Magnetic Tunnel Junctions Exchange - Biased by Synthetic Antiferromagnets
Y. R. Uhm ,  S. H. Lim 한국자기학회 학술연구발표회 논문개요집 2001.04 학술대회자료

초록· 키워드

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The switching characteristics and the magnetization-flop behavior in magnetic tunnel junctions exchange biased by synthetic antiferromagnets (SyAFs) are investigated by using a computer simulations based on a single-domain multilayer model. The bias field acting on the free layer is found to be sensitive to the thickness of neighboring layers, and the thickness dependence of the bias field is greater at smaller cell dimensions due to larger magnetostatic interactions. The resistance to magnetization flop increases with decreasing cell size due to increased shape anisotropy. When the cell dimensions are small and the synthetic antiferromagnet is weakly, or not pinned, the magnetization directions of the two layers sandwiching the insulating layer are aligned antiparallel due to a strong magnetostatic interaction, resulting in an abnormal magneto resistance (MR) change from the high-MR state to zero, irrespective of the direction of the free-layer switching. The threshold field for magnetization-flop is found to increase linearly with increasing antiferromagnetic exchange coupling in the synthetic antiferromagnet. Irrespective of the magnetic parameters and cell sizes, magnetization flop does not exist near zero applied field, indicating that magnetization flop is driven by the Zeeman energy.

목차

Abstract

1. Introduction

2. Model and Computation

3. Results and Discussion

4. Conclusions

Acknowledgments

References

참고문헌 (0)

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