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논문 기본 정보

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한국자기학회 Journal of Magnetics Journal of Magnetics Vol.6 No.3
발행연도
2001.9
수록면
90 - 93 (4page)

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Co/Al₂O₃/NiFe and Co/Al₂O₃/Co tunnel junctions were fabricated by a radio frequency magnetron sputtering at room temperature with hard mask on glass and 4° tilt cut Si (111) substrates. The barrier layer was formed through two steps. After the Al layer was deposited, it was oxidized in the chamber of a reactive ion etching system (RIE) with O₂ plasma at various conditions. The dependence of the TMR value and junction resistance on the thickness of Al layer (before oxidation) and oxidation parameters were investigated. Magnetoresistance value of 7% at room temperature was obtained by optimizing the Al layer thickness and oxidation conditions. Circular shape junctions on 4° tilt cut Si (111) substrate showed 4% magnetoresistance. Photovoltaic energy conversion effect was observed with the cross-strip geometry junctions on Si substrate.

목차

Abstract

1. Introduction

2. Experimental Method

3. Results and Discussion

4. Conclusions

Acknowledgment

References

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