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본 논문에서는 저 전류 및 고 효율로 동작하는 planar buried heterostructure(PBH) 구조로 sampled grating(SG) distributed bragg reflector(DBR) laser diode(LD)를 처음으로 설계하고 제작하였다. 특히 활성층과 도파로층의 높은 결합 효율을 얻기 위해 건식 식각과 습식 식각을 같이 사용하여 결함이 거의 없는 butt-coupling(BT) 계면을 형성하였다. 제작된 파장 가변레이저의 평균 발진 임계전류는 약 12 ㎃로 ridged waveguide(RWG) 와 buried ridge stripe(BRS) 구조로 제작된 결과 보다 두 배 정도 낮게 나타났으며, 광 출력은 200 ㎃에서 약 20 ㎽ 정도로 RWG 와 BRS 보다 각각 9 ㎽, 13 ㎽ 더 우수하게 나타났다. 그리고 파장 가변 영역을 측정한 결과 44 ㎚로 설계결과와 일치하였으며, 최대 파장 가변 영역 안에서 출력 변화 폭이 5 ㏈ 이내로서 RWG 구조의 9 ㏈보다 출력변화 폭이 4 ㏈ 적게 나타났다. 전체 파장 가변 영역에서 SMSR이 35 ㏈ 이상으로 나타났다.
목차
국문초록
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 4전극 SGDBR - LD의 설계 및 제작
Ⅲ. 파장 가변 동작 특성
Ⅳ. 결론
참고문헌
Abstract
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UCI(KEPA) : G300-j12256285.v15n5p469