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직접 변조형 반도체 레이저 다이오드에서 전류차단층의 구조들이 누설전류 및 대역폭에 미치는 영향을 조사하였다. 전류차단층을 통한 누설전류는 전류-전압미분특성 곡선을 통하여, 전류차단층의 기생성분들이 대역폭에 미치는 영향은 차감법 (Subtraction method)을 사용하여 분석하였다. 실험결과로부터 정적 및 동적특성에 동시에 우수한 특성을 보이는 전류차단층 구조로서 ‘inin’형 차단구조가 매우 효과적임을 밝혔다.
목차
국문초록
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 전류 차단층 구조 및 해석 방법
Ⅲ. 누설 전류 및 기생용량 해석 방법
Ⅳ. 특성 비교 결과
Ⅴ. 결론
감사의 글
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