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자체 제작한 고밀도(이론 밀도의 99%) ITO(In₂O₃ : SnO₂=90 wt% : 10 wt%) 타깃과 직류 마그네트론 스퍼터링 방법을 이용하여 산소분압 P_O₂(0≤P_O₂≤10^(-5) torr)와 성장 온도 T_S(100℃≤T_S≤350℃)를 변화시키면서 ITO 박막을 제작하고 전기적, 광학적 특성을 조사하였다. ITO 박막의 비저항은 제작 온도가 증가함에 따라 감소하다가 T_S=300℃일 때 최저 비저항값 0.30 mΩㆍ㎝를 나타내었고 T_S＞300℃ 이상에서는 약간 증가하였다. T_S=300℃에서 제작한 ITO 박막의 최대 전하 농도는 6.6×10^(20)/㎤이었다. T_S를 고정하고 ITO 박막 제작 시 사용한 산소분압이 증가함에 따라 전하농도, 전하유동도는 급격하게 감소하여 비저항이 크게 증가하는 것으로 나타났다. ITO 박막의 최저 비저항과 최대 전하 유동도는 각각 0.3 mΩㆍ㎝와 39.3 ㎠/Vㆍs였다. 또한 가시광 영역 (400~700 ㎚)에서 ITO박막의 광투과도는 80~90%로 높게 나타났다.
목차
국문초록
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 실험결과 및 논의
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
Abstract
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