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광기록매체용 Ge-Sb-Te 다층박막 성장과정을 in-situ 타원계를 사용하여 실시간으로 모니터하여 각 층의 두께를 제어하고 성장된 Ge-Sb-Te 다층박막을 ex-situ 분광타원법으로 확인하였다. 보호층인 ZnS-SiO₂와 기록층인 Ge₂Sb₂Te_5을 단결정실리콘 기층 위에 스퍼터링 방법으로 각각 성장시키면서 구한 타원상수 성장곡선을 분석하여 성장에 따르는 보호층의 균일성 및 기록 층의 밀도변화를 파악하고 이를 기초로 하여 Ge-Sb-Te 광기록 다층박막의 두께를 정밀하게 제어하였다. Ge₂Sb₂Te_5 단층박막 시료의 복소굴절율은 ex-situ 분광타원분석을 통하여 구하였다. 제작된 다층구조는 설정된 다층구조인 ZnS-SiO₂(1400 Å)│GST(200 Å)│ZnS-SiO₂(200 Å)와 각 층의 두께 및 전체 두께에서 1.5% 이내에서 일치하는 정확도를 보여주었다.
목차
국문초록
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 타원계 및 타원상수
Ⅲ. 실험기기
Ⅳ. 분석 및 검토
Ⅴ. 결론
감사의 글
참고문헌
Abstract
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UCI(KEPA) : G300-j12256285.v13n3p215