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반도체레이저로 단면 여기시킨 Nd:S-VAP 레이저의 내부공진기 제2고조파 출력특성을 조사하였다. 유도방출 단면적과 형광수명의 곱이 커 낮은 발진문턱 특성을 갖는 Nd:S-VAP 매질은 컴팩트한 마이크로칩 레이저에 적합하다. 내부공진기를 이용한 제2고조파 발진문턱에너지가 81 μJ로 측정되어 쉽게 발진됨을 확인하였다. 여기에너지 2 mJ에서 제2고조파 에너지 126 μJ을 얻었고, 내부공진기 제2고조파의 출력을 계산하여 이론적인 해석 근거를 제시하였다. Q-스위치된 제2고조파 출력은 펄스폭 26 ㎱에 펄스당 에너지 15 μJ로 저출력에서도 시ㆍ공간적으로 깨끗한 펄스를 얻었으며, M²도 1.47로 우수한 빔 특성을 나타내었다.
목차
국문초록
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험장치
Ⅲ. 내부공진기의 제2고조파 출력 계산
Ⅳ. 실험결과 및 해석
Ⅴ. 결론
감사의 글
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Abstract
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