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이 논문의 연구 히스토리 (3)
1999
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전계흡수형 반도체 광도파로에서 흡수된 빛에 의해 발생된 광전류는 전파되는 파장에 따라 Fabry-Perot 모드의 간섭패턴을 나타냄을 보이고, 이로부터 인가전압에 따른 흡수계수의 변화를 측정할 수 있는 방법을 제시하였다. 광전류 신호는 파장에 따라 공명 반공명을 반복해서 나타내며 그 진폭은 흡수계수의 크기에 의존하므로 전계에 따른 흡수계수의 변화량을 측정할 수 있었고, 1.55 ㎛ 파장에서 역전압 1.5V 인가시 bulk InGaAsP의 흡수계수 변화는 대략 157 ㎝-¹ 임을 알 수 있었다.
목차
국문초록
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 이론
Ⅲ. 실험 및 결과
Ⅳ. 결론
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UCI(KEPA) : G300-j12256285.v10n3p254