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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2005.10
- 수록면
- 1 - 8 (8page)
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본 논문에서는 강유전체 메모리의 셀 효율을 높이기 위해 PMOS-gating 셀을 이용한 설계기법을 기술하였다. PMOS-gating 셀은 PMOS access 트랜지스터와 강유전체 커패시터로 이루어지며 커패시터의 플레이트는 ground에 고정된다. 아울러 read/write 동작시 비트라인이 VDD로 precharge 되고, negative 전압 워드라인 기법이 사용되며, negative 펄스 restore 동작을 이용한다. 이는 셀 플레이트 구동없이 단순히 워드라인과 비트라인만 구동하여 메모리 셀의 데이타를 저장하고 읽어낼 수 있는 설계 방식으로, 기존의 셀 플레이트를 구동하는 FRAM 대비 메모리 셀 효율을 극대화 할 수 있어, multi-megabit 이상의 집적도에서 경쟁력 있는 칩 면적 구현이 가능하다. 0.25-㎛, triple-well 공정을 적용한 2.5-V, 1-Mb FRAM 시제품 설계를 통해 제안한 설계기술을 검증하였고, 시뮬레이션 결과 48 ㎱의 access time, 11 ㎃의 동작전류 특성을 보였다. 레이아웃 결과 칩 면적은 3.23 ㎟ 이며, 기존의 셀 플레이트 구동기를 사용하는 FRAM 대비 약 20%의 셀 효율을 개선하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. PMOS-Gating 셀
Ⅲ. 1-Mb Prototype Chip 설계
Ⅳ. 제안한 FRAM의 성능평가
Ⅴ. 결론
참고문헌
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[학술지(정기간행물)] - T. Sumi / feb.1994. / A 256kb nonvolatile ferroelectric memory at 3V and 100ns in ISSCC Digest of Technical Papers : 268 ~ 269
[학술지(정기간행물)] - R. Ogiwara / apr.2000. / 1-Mbit FRAM with a variable reference bit-line voltage scheme using a fatigue-free reference capacitor 35 (4) : 3 545 ~ 551
[학술지(정기간행물)] - Y. Chung / May2000. / 4-Mb nonvolatile ferroelectric RAM with selectively driven double-pulsed plate read/write-back scheme 35 (5) : 697 ~ 704
[학술지(정기간행물)] - C. Ohno / feb.2001. / A highly reliable 1T1C 1 Mb FRAM with novel ferro-programmable redundancy scheme : 36 ~ 37
[학술지(정기간행물)] - M. K. Choi / nov.2002. / A 0.25-m 3.0-V 1T1C 32-Mb nonvolatile ferroelectric RAM with address transition detector and current forcing latch sense amplifier scheme 37 (11) : 1472 ~ 1478
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