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한국태양에너지학회 한국태양에너지학회 학술대회논문집 한국태양에너지학회 2004 Proceedings ISEA Asia-Pacific
발행연도
2004.10
수록면
480 - 485 (6page)

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We investigated the solution growth of silicon on quartz glass in the temperature range 800-580℃. A thin AI-Si layer, evaporated on the quartz glass, served to improve the wetting between the substrate and the AVGa solvant. We obtained silicon deposits with a grain size up to a few 100㎛

목차

Abstract

1. Introduction

2. Substrate preparation

3. Solution growth process

4. Results and Discussions

5. Conclusion

6. Acknowledgement

References

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