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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.10
- 수록면
- 41 - 45 (5page)
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Device and material issues which contribute to the improvement in widegap CIGS solar cells (Eg ≥ 1.3eV) have been investigated. We first developed in-situ growth monitoring techniques during the CIGS film growth in order to improve the reproducibility and reliability in solar cell fabrication processes. Then, all the device processes have been investigated and optimized for widegap CIGS solar cells. The characteristics of the CIGS (x=O.52) solar cells have been improved up to n =16.9% (active area), Voc=O.728V, Jsc=31.8mA㎝-², FF=O.728.
목차
Abstract
1. Introduction
2. In-Situ Growth Monitoring
3. Widegap CIGS Solar Cells
4. Summary
References
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