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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2003.11
- 수록면
- 55 - 60 (6page)
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Highly uniform films with excellent anti-reflection properties can be formed on silicon substrate using a simple electrochemical etching technique. This technique is based on the selective removal of silicon atoms from the sample surface forming a layer of porous silicon (PS) with adjustable optical, electrical, and mechanical properties. It is difficult to decrease the reflectance of multi-crystalline silicon (mc-Si) by general chemical etching because mc-Si has grain boundary and different grain orientation. This paper investigates the formation of thin film PS layers on the surface of crystalline silicon (c-Si) substrates without other anti-reflecting (AR) layers and understands of PS formation by optical techniques of reflectance. We approach to mc-Si of PS formation trend is similar to c-Si of that. These trends were performed using current densities, voltage, solution composition and etching time for mc-Si substrate. When PS surface color is blue or dark blue, reflectance shows mInImum value. One PS layer on mc-Si is 14.62％ of (400_1000 nm) average reflectance which is lower compared to the optimized single Si3N4 Art layer on mc-Si is 16.1％. We expect our study can present several promising results approaching to lower than 10 % of average reflectance by optimization of process parameter.
목차
Abstract
1. 소개
2. 서론
3. 실험 및 고찰
4. 결론
5. 후기
6. 참고문헌
참고문헌 (0)
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