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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1990.10
- 수록면
- 38 - 45 (8page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (6)
2002
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ITO(n)/Si(p) solar cells were fabricated by resistance-heated vaccum deposition method, substrate temperature being kept about 190℃, and its proprties were investigated.
Optimal cell is obtained when the composition of indium and tin oxide(ITO) is 91 mole% and 9 mole% respectively.
The cell charateristics can be improved by heat treatment but are deteriorated at its temperature above 600℃ and longer time than 15 min.
We investigated the spectral respons of short circuit current of the cells and knew that the increase of heat treatment shifted the peak to the long wavelength region.
And by the means of X-ray diffraction patterns we cirtified the grain growth of the films as increasing the heat treatment.
The results from the ITO(n)/Si(p) solar cell are as follows.
short circuit current : Isc = 32 [㎃/㎠]
open circuit voltage : Voc = 480 [㎷]
fill factor : FF = 0.72
conversion efficiency : ŋ = 11 [%] under the illumination of 100 [㎽/㎠].
Optimal cell is obtained when the composition of indium and tin oxide(ITO) is 91 mole% and 9 mole% respectively.
The cell charateristics can be improved by heat treatment but are deteriorated at its temperature above 600℃ and longer time than 15 min.
We investigated the spectral respons of short circuit current of the cells and knew that the increase of heat treatment shifted the peak to the long wavelength region.
And by the means of X-ray diffraction patterns we cirtified the grain growth of the films as increasing the heat treatment.
The results from the ITO(n)/Si(p) solar cell are as follows.
short circuit current : Isc = 32 [㎃/㎠]
open circuit voltage : Voc = 480 [㎷]
fill factor : FF = 0.72
conversion efficiency : ŋ = 11 [%] under the illumination of 100 [㎽/㎠].
목차
1. 요약
2. 내용
3. 결과 및 논의
4. 결론
참고문헌
참고문헌 (0)
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