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이 논문의 연구 히스토리 (4)
1995
InGaAsp / InP RWG MQW-LD의 저전류 동작을 위한 최적화 설계
하홍춘
,
박윤호
,
오수환
외 2명
대한전자공학회 학술대회
1995.01
학술대회자료
Ridge형 InGaAsP / InP NQW-LD의 저전류동작을 위한 최적화 설계 ( The optimum design for low-current operating of Ridge type InGaAs/InP MQW-LD )
하홍춘
,
홍창희
대한전자공학회 기타 간행물
1995.01
연구보고서
Ridge 형 InGaAsP / InP MQW-LD의 저전류동작을 위한 최적화 설계 ( The optimum design for low-current operating of Ridge type InGaAsP / InP MQW-LD )
하홍춘
,
홍창희
한국통신학회 기타 간행물
1995.01
학술대회자료
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본 연구에서는 InGaAsP/InP RWG MQW-LD를 제작하기 앞서 이론해석으로부터 RWG MQW-LD의 도파로규격에 따른 측방향 유효굴절율차와 index-guided LD로 동작하는 임계 유효굴절율차의 값, 그리고 이러한 굴절율차에 따른 측방향에서의 단일모드 발진조건과 임계전류를 최소로 하기 위한 ridge 폭을 구하여 도파로를 설계하였다. 이론해석으로 부터는, 순수한 index-guided LD로 동작하기 위한 측방향 임계 유효굴절율차 값은 일반적인 bulk층 보다는 약 2배 정도 큰 값인 약 0.015이었으며, 도파로 설계에 있어서는 유효굴절율차가 0.015이며 측방향단일모드로 동작하기 위해서는 ridge 폭은 약 4 ㎛ 이하가 되어야 함을 알 수 있었다. 그리고 이때 임계전류값이 최소가 됨을 지적하였다.
목차
국문초록
Ⅰ. 서론
Ⅱ. RWG MQW - LD의 모델링
Ⅲ. 파동방정식
Ⅳ. 도파모드 해석
Ⅴ. 측방향 유효굴절율차에 따른 동작특성
Ⅵ. 결론
참고문헌
Abstract
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UCI(KEPA) : G300-j12256285.v7n4p375