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이 논문의 연구 히스토리 (6)
1995
1993
LPE에 의해 제작된 InGaAsP / InP MQW-LD의 온도특성 ( The Thermal characteristics of InGaAsP / InP MQW-LD Fabricated by LPE )
박윤호
,
조호성
,
홍창희
대한전자공학회 학술대회
1993.01
학술대회자료
LPE에 의해 제작된 InGaAsP / InP MQW-LD의 온도특성 ( The Thermal Characteristics of InGaAsP / InP MQW-LD Fabricated by LPE )
박윤호
,
조호성
,
홍창희
한국통신학회 광전자공학 학술회의
1993.01
학술대회자료
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본 연구에서는 RWG(Ridge waveguided) MQW-LD가 weakly index-guided LD로 동작하기 위한 최적 설계조건으로부터, 수직형 LPE장치를 사용하여 RWG MQW-LD를 제작하였다. 먼저 수회의 실험을 통해 MQW-DH 웨이퍼 성장조건과 QW층의 두께를 200Å정도로 제어할 수 있는 성장조건을 확립하였다. 이와 같이 성장된 MQW-DH 웨이퍼를 photolithography 공정을 통해 폭이 4 ㎛인 ridge 패턴을 형성시켜 RWG MQW-LD를 제작하였으며, 전기광학적 특성을 조사한 결과 I=2.7 I_(th) 이상에서도 측방향 단일모드 동작함을 알 수 있었다.
목차
국문초록
Ⅰ. 서론
Ⅱ. RWG MQW - LD 제작
Ⅲ. RWG MQW - LD의 전기 광학적 특성
Ⅳ. 결론
참고문헌
Abstract
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UCI(KEPA) : G300-j12256285.v7n2p150