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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국광학회 한국광학회지 한국광학회지 제5권 제3호
발행연도
1994.9
수록면
418 - 422 (5page)

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본 연구에서는 MOVPE를 이용한 MQW활성층을 DFB-LD 구조에 도입함으로서 2.5 Gbps 광전송용 광원으로 사용될 1.55 ㎛ 파장의 MQW-PBH-DFB-LD를 제작하였다. 활성층으로는 MOVPE를 이용하여 8쌍의 InGaAs/InGaAsP MQW층을 성장하였으며, 2차 및 3차 결정성장은 LPE를 사용하였고, 발진파장을 결정하는 회절격자 주기는 238 ㎚로 하였다. 제작된 MQW-PBH-DFB-LD의 평균 임계전류는 13.81 ㎃, Slope efficiency는 0.137 ㎽/㎃이었고 발진파장은 1548.6 ㎚의 특성을 얻었다. 그리고 2.5 Gbps 대신호변조시의 chirping특성을 조사하여 본 결과 0.55 ㎚임을 확인할 수가 있었다.

목차

국문초록

Ⅰ. 서론

Ⅱ. MQW-PBH-DFB-LD 제작공정

Ⅲ. MQW-PBH-DFB-LD칩의 특성

Ⅳ. 결론

참고문헌

Abstract

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UCI(KEPA) : G300-j12256285.v5n3p418