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이 논문의 연구 히스토리 (4)
1994
1993
2.5 Gbps 광통신용 Avalanche 수광소자 제작 및 특성분석 ( InGaAs Avalanche Photodiodes for 2.5 Gbps Optical Fiber Transmission System )
유지범
,
박찬용
,
박경현
외 7명
대한전자공학회 학술대회
1993.01
학술대회자료
2.5 Gbps 광통신용 Avalanche 수광소자 제작 및 특성분석 ( InGaAs Avalanche Photodiodes for 2.6 Gbps Optical Fiber Transmission System )
유지범
,
박찬용
,
박경현
외 7명
한국통신학회 광전자공학 학술회의
1993.01
학술대회자료
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2.5 Gbps 광통신시스템용 수광소자로서 charge plate층을 갖는 링구조의 separate absorption grading multiplication Avalanche photodiode를 제작하고 그 특성을 조사 분석하였다. Avalanche Photodiode의 제작은 Metal-Organic Chemical Vapor Deposition과 Liquid Phase Epitaxy법을 이용한 에피성장과, Br: Methanol을 이용한 채널식각 방법을 사용하였고, passivation과 평탄화는 photosensitive polyimide를 이용하였다. 제작된 APD는 10 ㎁ 이하의 작은 누설전류를 나타내었고, -38~39V의 항복전압을 나타내었다. 제작된 APD를 GaAs FET hybrid 전치증폭기와 결합하여 2.5 Gbps 속도에서 2²³-1의 길이를 갖는 입력 광신호에 대해 10^(-10) Bit Error Rate에서 -31.0 dBm의 수신감도를 얻었다.
목차
국문초록
Ⅰ. 서론
Ⅱ. Avalanche photodiode의 제작
Ⅲ. Avalanche phtodiode의 특성 분석 및 토의
Ⅳ. 결론
참고문헌
Abstract
참고문헌 (0)
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