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이 논문의 연구 히스토리 (15)
1997
경사진 활성층을 가진 1.3 ㎛ 반도체 레이저 제작 ( Fabrication of 1.3㎛ Tapered Active Stripe Lasers )
조호성
,
김정수
,
박경현
외 3명
대한전자공학회 학술대회
1997.01
학술대회자료
측방향으로 기울어진 활성층을 가진 1.3㎛ GaInAsP / InP 반도체 레이저 ( 1.3㎛ GaInAsP / InP Laser Diode with Laterally Tapered Active Layer )
조호성
,
홍창희
대한전자공학회 학술대회
1997.01
학술대회자료
경사진 활성층을 가진 1.3 반도체 레이저 제작 ( Fabrication of 1.3 Tapered Active Stripe Lasers )
조호성
,
김정수
,
박경현
외 3명
한국통신학회 광전자공학 학술회의
1997.01
학술대회자료
1995
저압 유기금속 기상화학증착법에 의한 1.3μm InGaAsP / InP UNCOOLED - LD 의 제작 ( Fabrication of 1.3 μm InGaAsP / InP Uncooled - LD Using Low Pressure MOVPE )
조호성
,
김정수
,
이중기
외 6명
전자공학회논문지-A
1995.06
학술저널
활성층과 장벽층에 따른 응력완화 다중 양자 우물 uncooled-LD의 동작 특성 ( The Operating Characteristics of Strain-compensated Multiple Quantum Well Uncooled-LD with Active and Barrier Layers )
조호성
,
이중기
,
장동훈
외 6명
대한전자공학회 기타 간행물
1995.01
연구보고서
활성층과 장벽층에 따른 응력완화 다중양자우물 uncooled-LD의 동작특성 ( The Operating Characteristics of Strain-compensated Multiple Quantum Well Uncooled-LD with Active and Barrier Layers )
조호성
,
이중기
,
장동훈
외 6명
한국통신학회 기타 간행물
1995.01
학술대회자료
1994
LPE 방법으로 제작된 InGaAsP / InP MQW - LD 의 광학적 특성조사 ( An Investigation of Optical Characteristics of InGaAsP / InP MQW - LD Fabricated by LPE Method )
조호성
,
박윤호
,
홍창희
전자공학회논문지-A
1994.10
학술저널
저동작 전류 1.3μm PBH-MQW-LD의 제작 ( Fabrication of Low Operating Current 1.3μm Wavelength PBH-MQW-LD )
조호성
,
장동훈
,
이중기
외 5명
대한전자공학회 학술대회
1994.01
학술대회자료
저동작 전류 1.4um PBH-MQW-LD의 제작 ( Fabrication of Low Operating Current 1.3um Wavelength PBF-MQW-LD )
조호성
,
장동훈
,
이중기
외 5명
한국통신학회 광전자공학 학술회의
1994.01
학술대회자료
1992
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본 연구에서는 수직형 LPE장치를 이용하여 InGaAsP/InP MQW-DG웨이퍼를 성장하고 10 ㎛ stripe MQW-LD를 제작하였다. 공진기 길이 470 ㎛ LD의 경우 이득스펙트럼 중심파장은 1.32㎛였다. 발진 파장은 1.302 ㎛로써 양자우물두께 300 Å의 이득중심에 해당한다는 사실을 알 수 있었다.
목차
국문초록
Ⅰ. 머리말
Ⅱ. Stripe 형 MQW - LD 제작
Ⅲ. 맺음말
감사의 글
참고문헌
Abstract
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UCI(KEPA) : G300-j12256285.v3n4p252