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Structures, fabrication, and characteristics of top-surface-emitting GaAs four quantum well microlaser are described. The microlasers have good room-temperature CW characteristics. The maximum CW laser output is ＞3 ㎽ from a 30 ㎛ diameter microlaser and the maximum differential quantum efficiency is ＞70% from a 10 ㎛ diameter microlaser. Active surface emitting laser logic devices are designed and fabricated as a discrete version of a top-surface-emitting laser and heterojunction phototransistor. The active surface emitting laser logic device have high optical gain (＞20 overall, ＞200 differential) and very high on/off ratio. Two-dimensional arrays of top-surface-emitting microlasers and active surface emitting laser logic devices will be critical elements for optical computing, photonic switching and neural network applications.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 표면광 마이크로 레이저의 구조 및 제작방법
Ⅲ. 표면광 마이크로 레이저의 동작 특성
Ⅳ. 능동형 광학연산 소자
Ⅴ. 결론
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UCI(KEPA) : G300-j12256285.v2n4p233