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Preparation of TiO₂ Film by the Dip-coating Method and its Application to photoelectrochemical Electrodes.
TiO₂ film of n-type semiconductor has been of great interest as a material for solar energy conversion.
For its practical application, the dip-coating method has been applied to prepare TiO₂ (anatase) film on the nesa glass substrate. Films up to about 1.8㎛ in thickness can be obtained by repeating the operation, dipping → pulling up → drying → heating at 500℃ for 10 minute.
Heating temperature at 500℃ was adopted to convert TiO₂ gels into TiO₂ crystalline films. The TiO₂ films showed the maximum photo current (14㎃/㎠)at the film thickness of about 1.8㎛. It was also found that the additional heating at 500℃ for about 20 minutes improved remarkably the photo current of the TiO₂ films.
TiO₂ film of n-type semiconductor has been of great interest as a material for solar energy conversion.
For its practical application, the dip-coating method has been applied to prepare TiO₂ (anatase) film on the nesa glass substrate. Films up to about 1.8㎛ in thickness can be obtained by repeating the operation, dipping → pulling up → drying → heating at 500℃ for 10 minute.
Heating temperature at 500℃ was adopted to convert TiO₂ gels into TiO₂ crystalline films. The TiO₂ films showed the maximum photo current (14㎃/㎠)at the film thickness of about 1.8㎛. It was also found that the additional heating at 500℃ for about 20 minutes improved remarkably the photo current of the TiO₂ films.
목차
ABSTRACT
1. 서론
2. 이론
3. 실험 및 방법
4. 결과 및 고찰
5. 결론
REFERENCES
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