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Indium-Tin-Oxide (lTO)/Selenium heterojunction solar cells which fabricated by vacuum deposition technique and annealing process has been investigated.
Prior to the Selenium deposition, a thin tellurium layer (about 10Å) was deposited onto the ITO layers to provide a sufficient mechanical bond between the Oxide and Selenium layers. The amorphous Selenium layer was deposited onto the Te-ITO layers, and then the crystallization of the amorphous Selenium was carried out using a hot plate at about 180℃ for 4 min.
Efficient Selenium solar cells with conversion efficiency as high as 4.52% under AM 1 condition has been fabricated in polycrystalline Selenium layer (6㎛).
The optimum data in manufacturing Se solar cell was listed in table.
Prior to the Selenium deposition, a thin tellurium layer (about 10Å) was deposited onto the ITO layers to provide a sufficient mechanical bond between the Oxide and Selenium layers. The amorphous Selenium layer was deposited onto the Te-ITO layers, and then the crystallization of the amorphous Selenium was carried out using a hot plate at about 180℃ for 4 min.
Efficient Selenium solar cells with conversion efficiency as high as 4.52% under AM 1 condition has been fabricated in polycrystalline Selenium layer (6㎛).
The optimum data in manufacturing Se solar cell was listed in table.
목차
ABSTRACT
Ⅰ. 緖論
Ⅱ. 實驗 및 方法
Ⅲ. 實驗結果 및 考察
Ⅳ. 結論
REFERENCES
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