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The fabrication procedure and characteristics of Ta₂O_5/Al/SiO₂/p-Si MIS solar cells forming a fine grating pattern of aluminum evaporated on to p-type silicon crystal are discribed.
The proper temperature for oxide growing of these cells was found to be about 450℃ for 20 minutes with oxygen flow.
The conversion efficiency increased about 3% after 750 Å thickness of tantalium silica film spin on anti-reflective coating.
The best results showed that Voc = 0.545 V, Jsc = 34㎃ and F.F = 0.65, which represent that the conversion efficiency is 12%.
The proper temperature for oxide growing of these cells was found to be about 450℃ for 20 minutes with oxygen flow.
The conversion efficiency increased about 3% after 750 Å thickness of tantalium silica film spin on anti-reflective coating.
The best results showed that Voc = 0.545 V, Jsc = 34㎃ and F.F = 0.65, which represent that the conversion efficiency is 12%.
목차
ABSTRACT
Ⅰ. 緖論
Ⅱ. 實驗
Ⅲ. 結果 및 考察
Ⅳ. 結論
REFERENCES
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