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논문 기본 정보

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저널정보
한국분석과학회 분석과학 분석과학 제5권 제4호
발행연도
1992.12
수록면
455 - 464 (10page)

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본 논문에서는 FT-IR 분광분석법을 이용하여 여러 가지 반응조건에서 기체상 silylation 반응에 의해 생성된 silylated layer의 depth를 비파괴적으로 정량하는 방법을 제안하였다. Silylated layer의 depth는 FT-IR 스펙트럼의 특성 봉우리들 (Si-O-ph, Si-C, Si-H)의 흡광도를 바탕 스펙트럼 공제법으로 측정하여 SEM의 두께 측정치와 비교하여 정량하였다. FT-IR 분광분석법을 이용한 Silylated layer의 depth 분석은 비파괴적이고 정량적인 방법으로, 이 방법은 silylation process window를 설정하는 데 적합하다는 것을 알았다.

목차

요 약

Abstract

1. 서 론

2. 실 험

3. 결과 및 고찰

4. 결 론

인용문헌

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