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대한전자공학회 전자공학회논문지-TC 전자공학회논문지 TC편 제42권 제9호
발행연도
2005.9
수록면
49 - 56 (8page)

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RF 전력증폭기 및 Doherty 전력증폭기의 열 메모리 효과는 변조신호의 대역폭과 동작 전력의 레벨에 따라 민감하게 영향을 미친다. 본 논문에서는 전기적인 비선형성을 정확히 모델링하고 열 메모리 효과가 Doherty 증폭기의 왜곡형성에 어떤 영향을 미치는지에 대해 연구하였다. Doherty 증폭기의 열 메모리 특성을 모델링하기 위하여 순시적으로 소모되는 전력과 순시 접합온도의 정확한 관계식을 정립하여 제안하였다. 제안된 모델의 파라미터는 서로 다른 여기상태에 따라 전력증폭기의 특성이 결정되는데, 트랜지스터의 열 메모리 효과는 대역폭이 넓은 W-CDMA 및 UMTS 시스템에서 충분히 고려되어야 한다. 이러한 열 메모리 효과를 사전왜곡 함수에 적용하여 선형화된 전력증폭기의 출력스펙트럼에서 최대 20 dB정도의 ACLR 개선효과를 보인다. 측정결과는 60W급 LDMOS Doherty 전력증폭기로 측정하였으며, 열 메모리 보상기는 ADS로 검증하였다.

목차

요약

Abstract

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 메모리 효과의 전열적 특성

Ⅲ. Doherty 증폭기의 접합온도에 따른 메모리 효과 모델링

Ⅳ. 온도왜곡 보상기 설계 및 결과 고찰

Ⅴ. 결론

참고문헌

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-569-018062110