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한국진공학회 한국진공학회 학술발표회초록집 한국진공학회 제2회 학술발표회논문개요집
발행연도
1992.2
수록면
97 - 97 (1page)

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The microvoids at the interface of direct bonded silicon wafers were studied in view of surface damage, micro particles, and micro gas trap. The microvoids due to surface damages at the edge of wafer and micro particles could be mostly avoided by giving careful handling to wafers and using fresh hydrophillizing solution, respectively. The micro gas trap voids, mostly with diameters in the range of 20-400 ㎛, have been observed at all of Si-Si, Si-SiO₂, and SiO-SiO₂ bonding interf ... 전체 초록 보기

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