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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1992.2
- 수록면
- 3 - 10 (8page)
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Photostimulated desorption of NO chemisorbed on Pt(001) at 80K has been studied by the ( 1+ l)-resonance-enhanced multiphoton ionization ((l+l)-REMPI) technique. A linearly polarized ArF excimer laser ( λ=193 ㎚ ,6.41eV) is used as the pump laser. A high adsorption rate selectivity was found in the exposure dependence of the NO desorption yield. The NO desorption yield increases drastically when the amount of NO exposure exceeds ~1.8 L. This result shows that the amount of NO species with a large cross section for photostimulated des option increases drastically at higher NO coverages.
Using scanning tunneling microscopy, we have observed structural modifications of the chlorinated Si(111)-7x7 surface induced by 266nm laser irradiation. At very low laser fluence of 0.7mJ/㎠, at which thermal desorption can be ignored, a periodic striped pattern of a single domain is imaged. This pattern consists of flat terraces and narrow grooves of ~60 and ~l0A in width, respectively.
Using scanning tunneling microscopy, we have observed structural modifications of the chlorinated Si(111)-7x7 surface induced by 266nm laser irradiation. At very low laser fluence of 0.7mJ/㎠, at which thermal desorption can be ignored, a periodic striped pattern of a single domain is imaged. This pattern consists of flat terraces and narrow grooves of ~60 and ~l0A in width, respectively.
목차
ABSTRACT
DESORPTION ON Pt(001) - No
ETCHING ON Si(111) - C ℓ
REFERENCES
TABLE / FIGURES
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