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반도체 디바이스 시뮬레이션에 있어서 물리적 모델은 매우 중요하게 시뮬레이션에 영향을 주고있다. 또한 이들 모델의 분리화 작업 역시 시뮬레이션 속도외 정확도에 큰 영향을 주고 있다. 본 논문에서는 반도체 디바이스 시뮬레이터의 구성에 있어서 필요한 물리적 모델을 마련하고 간단한 구조의 P+-N 다이오드의 concentration 과 translent 분석을 하였다.
이들 물리적 모델을 이용함으로써 보다 완전한 디바이스 시뮬레이션을 수행 할 수 있었다.

목차

요약

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 디바이스 시뮬레이션 문제

Ⅲ. 디바이스 시뮬레이션에 대한 물리적 모델

Ⅳ. 독립 변수의 선택

Ⅴ. 시간 종속 문제

Ⅵ. 결론

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