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논문 기본 정보
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- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- Korean Institute of Information Scientists and Engineers Journal of Electrical Engineering and Information Science Journal of Electrical Engineering and Information Science Vol.4 No.5
- 발행연도
- 1999.10
- 수록면
- 626 - 632 (7page)
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This paper presents material properties of CaF₂ films grown on Coming 1737 glass plates, Al coated glass substrate, and p-type Si substrate with (100) orientation. The XRD analysis on CaF₂/glass and CaF₂/Al/glass illustrated strong (111) and weak (220) peak intensity. The best lattice constant on glass substrate was 0.5459 nm corresponding to 5 % lattice mismatch with Si. Such a low lattice mismatch promises high quality thin film Si growth on CaF₂/Al/glass or CaF₂/glass substrate. For an MIS structure of Al/CaF₂/Si, we observed epi-like CaF₂ film growth with a major XRD peak at (200) on (100) p-type Si. The MIS capacitor exhibited a breakdown electric field greater than 1.27 MV/cm, a leakage current density lower than 10^(-7) A/㎠, and a relative dielectric constant greater than 4.1. By carrying out investigations on CaF₂ film growth on Si substrate, this paper demonstrates the best lattice mismatch as low as 0.7 % and average surface roughness of about 8.4 A. Capacitance versus voltage results on MIS structure of CaF₂ show interface state densities of as low as 1.8×10^(11) cm^(-1)eV^(-1). We present electrical properties in conjunction with the structural properties of CaF₂ films.
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Experiment
Ⅲ. Results
Ⅳ. Conclusions
Acknowledgements
References
저자소개
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