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We have developed an LPCVD process of forming small-sized, high-density silicon quantum dots by investigating the effect of substrate type, chemical treatment, deposition temperature, and deposition time. Repeated results were obtained after several experiments under the same conditions when fabricating uniform quantum dots on Si₃N₄ and SiO₂ films. This ability to precisely control the size, density, and uniformity indicates the feasibility of practical nano-crystal non-volatile memory.

목차

Abstract

Ⅰ. Introduction

Ⅱ. Experimental

Ⅲ. Results and Discussion

Ⅳ. Conclusion

Acknowledgement

References

저자소개

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-569-017770053