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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- Korean Institute of Information Scientists and Engineers Journal of Electrical Engineering and Information Science Journal of Electrical Engineering and Information Science Vol.4 No.1
- 발행연도
- 1999.2
- 수록면
- 83 - 90 (8page)
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In order to investigate possibility of Pt/RuO₂, on Si as a bottom electrode for deposition of ferroelectric thin film, PbTiO₃, thin films on various substrates were deposited by in-situ metalorganic chemical vapor deposition. X-ray diffraction patterns showed that the PbTiO₃films deposited on Pt/Ti/SiO₂/Si and the Pt/RuO₂/SiO₂/Si had good crystallinity but the film on RuO₂/SiO₂/Si had poor crystallinity. Scanning electron microscopy and atomic force microscopy results suggested that RuO₂, could act as a barrier material. The films on RuO₂/SiO₂/Si and Pt/RuO₂/SiO₂/Si had lower dissipation factor than the film on Pt/Ti/SiO₂/Si. Leak current density - voltage measurement revealed that very low leak current density values and abrupt increase of the leak current density at the high electrical field were obtained in the film on Pt/RuO₂/SiO₂/Si. The as-grown film on Pt/Ti/SiO₂/Si had higher short probability than that on Pt/RuO₂and RuO₂when the top electrode size was increased. The short probability of the film on Pt/Ti/SiO₂/Si was much higher than that on Pt/RuO₂/SiO₂/Si. Furthermore, the film on Pt/Ti/SiO₂/Si deposited at 580℃ showed poor electrical properties than that at 500℃, while the film on Pt/RuO₂deposited at 580℃ has better electrical one than at 500℃.
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Experiment
Ⅲ. Results And Discussion
Ⅳ. Conclusions
References
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