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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제42권 제5호
발행연도
2005.5
수록면
9 - 14 (6page)

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본 논문은 순수한 고주파 (radio-frequency: rf) 모드의 반사형과 투과형 고주파 단일전자 트랜지스터 (RF-SET) 동작의 새로운 시뮬레이션 기법을 소개한다. 이 기법은 RF-SET 회로를 주파수 영역에서 self-consistent 방법으로 키리히호프 법칙에 기반한 미분 방정식의 해를 구한다. 또한, 이 기법은 정상상태와 시변 단일전자 트랜지스터 전류 모델들 두 가지를 포함한다. 순수한 rf 모드 반사형 RF-SET의 반사파와 순수한 rf 모드 투과형 RF-SET의 투과파를 계산한다. 정상상태 단일전자 트랜지스터 전류 모델을 포함한 RF-SET 계산의 정확성은 [참고문헌 2]에서 소개된 방법으로 확인한다. GHz 이상의 고주파에서 시변 단일전자 트랜지스터 전류 모델을 포함한 RF-SET 계산 결과는 정상상태 단일전자 트랜지스터 전류 모델을 포함해서 RF-SET를 계산한 결과들과 상당한 차이가 있음을 확인했다. GHz 이상 고주파에서 RF-SET 동작 분석은 정확한 시변 단일 전자 트랜지스터의 전류 모델이 요구된다.

목차

요약

Abstract

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 본론

Ⅲ. 시뮬레이션 결과

Ⅳ. 결론

참고문헌

저자소개

참고문헌 (8)

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-569-014591145